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ZXMC3A16DN8
COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY
N-Channel V (BR)DSS = 30V; R DS(ON) = 0.035 ; I D = 6.4A
P-Channel V (BR)DSS = -30V; R DS(ON) = 0.048 ; I D = -5.4A
DESCRIPTION
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure
that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This
makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management
applications.
FEATURES
? Low on-resistance
? Fast switching speed
? Low threshold
? Low gate drive
? Low profile SOIC package
APPLICATIONS
? Motor Drive
? LCD backlighting
ORDERING INFORMATION
Q1 = N-CHANNEL
SO8
Q2 = P-CHANNEL
DEVICE
REEL
TAPE
WIDTH
QUANTITY
PER REEL
ZXMC3A16DN8TA
ZXMC3A16DN8TC
7 ’‘
13’‘
12mm
12mm
500 units
2500 units
PINOUT
DEVICE MARKING
ZXMC
3A16
Top view
ISSUE 1 - OCTOBER 2005
1
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